Produkteigenschaften
Bauteil-Typ:MOSFET
Bauteil-Form:TO-252 (DPAK)
Transistor-Polung:N-Kanal (NMOS)
Anzahl der Kanäle:1-Kanal (Single)
Drain-Source-Spannung (max.):25 V
Drain-Source-Widerstand (typ.):4.5 mOhm @ 10V / 30A
Drain-Source-Widerstand (max.):6.0 mOhm @ 10V / 30A
Drain-Strom (dauerhaft):30 A
Drain-Strom (kurzzeitig):150 A
Gate-Source-Spannung (max.):± 20 V
Gate-Schwellenspannung (min.):1.0 V
Gate-Schwellenspannung (typ.):1.9 V
Gate-Schwellenspannung (max.):3.0 V
Verlustleistung (max.):65 W
Verpackung:Gurtabschnitt
Dokumente / Datenblatt
 | TSC TSM55N03CP-RO | 298 KB |  |
