Produkteigenschaften
Bauteil-Typ:Transistor Bipolar (BJT)
Bauteil-Form:SOT-23
Transistor-Polung:PNP
Anzahl der Kanäle:1-Kanal (Single)
Kollektor-Emitter-Spannung (max.):65 V
Kollektor-Emitter-Sättigung (max.):650 mV
Emitter-Basis-Spannung (max.):5 V
Kollektor-Basis-Spannung (max.):80 V
Kollektor-Strom (max.):100 mA
Gleichstrom-Verstärkung (min.):220
Gleichstrom-Verstärkung (typ.):ohne Angabe
Gleichstrom-Verstärkung (max.):475
Übergangsfrequenz:100 MHz
Verlustleistung (max.):250 mW
Verpackung:Gurtabschnitt
Dokumente / Datenblatt
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