Produkteigenschaften
Bauteil-Typ:Transistor Bipolar (BJT)
Bauteil-Form:SOT-89 (TO-243)
Qualifikation:AEC-Q101
Transistor-Polung:NPN
Anzahl der Kanäle:1-Kanal (Single)
Kollektor-Emitter-Spannung (max.):60 V
Kollektor-Emitter-Sättigung (max.):500 mV
Emitter-Basis-Spannung (max.):5 V
Kollektor-Basis-Spannung (max.):60 V
Kollektor-Strom (max.):1 A
Gleichstrom-Verstärkung (min.):100
Gleichstrom-Verstärkung (typ.):ohne Angabe
Gleichstrom-Verstärkung (max.):250
Übergangsfrequenz:180 MHz
Verlustleistung (max.):500 mW
Verpackung:Gurtabschnitt
Dokumente / Datenblatt
 | NXP BCX55 | 1.12 MB |  |
