Produkteigenschaften
Bauteil-Typ:MOSFET
Bauteil-Form:SOT-363
Qualifikation:AEC-Q101
Transistor-Polung:N-Kanal (NMOS)
Anzahl der Kanäle:2-Kanal (Dual)
Drain-Source-Spannung (max.):60 V
Drain-Source-Widerstand (typ.):1.0 Ohm @ 10V / 320mA
Drain-Source-Widerstand (max.):1.6 Ohm @ 10V / 320mA
Drain-Strom (dauerhaft):320 mA
Drain-Strom (kurzzeitig):1.2 A
Gate-Source-Spannung (max.):± 20 V
Gate-Schwellenspannung (min.):0.48 V
Gate-Schwellenspannung (typ.):1.1 V
Gate-Schwellenspannung (max.):1.6 V
Verlustleistung (max.):445 mW
Verpackung:Gurtabschnitt
Dokumente / Datenblatt
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