Produkteigenschaften
Bauteil-Typ:Transistor Bipolar (BJT)
Bauteil-Form:SOT-363
Transistor-Polung:NPN
Anzahl der Kanäle:2-Kanal (Dual)
Kollektor-Emitter-Spannung (max.):65 V
Kollektor-Emitter-Sättigung (max.):300 mV
Emitter-Basis-Spannung (max.):6 V
Kollektor-Basis-Spannung (max.):80 V
Kollektor-Strom (max.):100 mA
Gleichstrom-Verstärkung (min.):110
Gleichstrom-Verstärkung (typ.):ohne Angabe
Gleichstrom-Verstärkung (max.):ohne Angabe
Übergangsfrequenz:100 MHz
Verlustleistung (max.):300 mW
Verpackung:Gurtabschnitt
Dokumente / Datenblatt
 | NXP BC846S | 201 KB |  |
