Produkteigenschaften
Bauteil-Typ:Transistor Bipolar (BJT) mit Vorspannung
Bauteil-Form:SOT-363
Transistor-Polung:NPN
Anzahl der Kanäle:2-Kanal (Dual)
Kollektor-Emitter-Spannung (max.):50 V
Kollektor-Emitter-Sättigung (max.):250 mV
Kollektor-Basis-Spannung (max.):50 V
Kollektor-Strom (max.):100 mA
Gleichstrom-Verstärkung (min.):80
Gleichstrom-Verstärkung (typ.):140
Gleichstrom-Verstärkung (max.):ohne Angabe
Eingangswiderstand:10 kOhm
Widerstandsverhältnis:0.21
Übergangsfrequenz:ohne Angabe
Verlustleistung (max.):250 mW
Verpackung:Gurtabschnitt
Dokumente / Datenblatt
ONSEMI MUN5214DW1T1G | 295 KB |