Produkteigenschaften
Bauteil-Typ:Transistor Bipolar (BJT) mit Vorspannung
Bauteil-Form:SOT-23
Transistor-Polung:PNP
Anzahl der Kanäle:1-Kanal (Single)
Kollektor-Emitter-Spannung (max.):50 V
Kollektor-Emitter-Sättigung (max.):250 mV
Kollektor-Basis-Spannung (max.):50 V
Kollektor-Strom (max.):100 mA
Gleichstrom-Verstärkung (min.):80
Gleichstrom-Verstärkung (typ.):140
Gleichstrom-Verstärkung (max.):ohne Angabe
Eingangswiderstand:47 kOhm
Widerstandsverhältnis:1.0
Übergangsfrequenz:ohne Angabe
Verlustleistung (max.):202 mW
Verpackung:Gurtabschnitt, Lose / Bulk
Dokumente / Datenblatt
ONSEMI MUN5113T1G | 475 KB |