MUN5113T1G

Transistor Bipolar mit Vorspannung
SOT-23 | PNP | 50V | 100mA | 70hFE
MUN5113T1G
(Symbolabbildung)

ab 0,08 EUR

Endpreis nach § 19 UStG. zzgl. Versandkosten

Lieferzeit: 3-4 Tage

Verfügbar: 1032 Stück

Mindestbestellmenge:10 Stück
Staffelpreise:
ab 10 Stk.je 0,15 EUR
ab 50 Stk.je 0,12 EUR
ab 100 Stk.je 0,10 EUR
ab 500 Stk.je 0,08 EUR
Hersteller: onsemi
Hersteller Art.Nr.: MUN5113T1G

Produkteigenschaften

Bauteil-Typ:Transistor Bipolar (BJT) mit Vorspannung
Bauteil-Form:SOT-23
Transistor-Polung:PNP
Anzahl der Kanäle:1-Kanal (Single)
Kollektor-Emitter-Spannung (max.):50 V
Kollektor-Emitter-Sättigung (max.):250 mV
Kollektor-Basis-Spannung (max.):50 V
Kollektor-Strom (max.):100 mA
Gleichstrom-Verstärkung (min.):80
Gleichstrom-Verstärkung (typ.):140
Gleichstrom-Verstärkung (max.):ohne Angabe
Eingangswiderstand:47 kOhm
Widerstandsverhältnis:1.0
Übergangsfrequenz:ohne Angabe
Verlustleistung (max.):202 mW
Verpackung:Gurtabschnitt, Lose / Bulk

Dokumente / Datenblatt

ONSEMI MUN5113T1G475 KBDownload

Warenkorb

Ihr Warenkorb ist leer.

Willkommen zurück!

Hersteller

Hersteller Info