Produkteigenschaften
Bauteil-Typ:MOSFET
Bauteil-Form:SOT-23
Transistor-Polung:P-Kanal (PMOS)
Anzahl der Kanäle:1-Kanal (Single)
Drain-Source-Spannung (max.):50 V
Drain-Source-Widerstand (typ.):1.2 Ohm @ 5.0V / 0.1A
Drain-Source-Widerstand (max.):10 Ohm @ 5.0V / 0.1A
Drain-Strom (dauerhaft):130 mA
Drain-Strom (kurzzeitig):520 mA
Gate-Source-Spannung (max.):± 20 V
Gate-Schwellenspannung (min.):0.8 V
Gate-Schwellenspannung (typ.):1.7 V
Gate-Schwellenspannung (max.):2.0 V
Verlustleistung (max.):360 mW
Verpackung:Gurtabschnitt
Dokumente / Datenblatt
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