Produkteigenschaften
Bauteil-Typ:Transistor Bipolar (BJT)
Bauteil-Form:SOT-23
Transistor-Polung:NPN
Anzahl der Kanäle:1-Kanal (Single)
Kollektor-Emitter-Spannung (max.):45 V
Kollektor-Emitter-Sättigung (max.):600 mV
Emitter-Basis-Spannung (max.):6 V
Kollektor-Basis-Spannung (max.):50 V
Kollektor-Strom (max.):100 mA
Gleichstrom-Verstärkung (min.):420
Gleichstrom-Verstärkung (typ.):520
Gleichstrom-Verstärkung (max.):800
Übergangsfrequenz:100 MHz
Verlustleistung (max.):225 mW
Verpackung:Gurtabschnitt
Dokumente / Datenblatt
ONSEMI BC846ALT1 SERIES | 213 KB |